Hersteller: JEOL Ltd.

technische Spezifikationen:

• Feldemissionsgerät (bis 30 keV) garantiert hohe Auflösung bei hohem Strahlstrom
• laterale Auflösung > 1 nm (SE)
• bis zu 500 nA Strahlstrom für schnelle analytische Anwendungen
• Sekundärelektronendetektor zur Abbildung der Oberflächenbeschaffenheit
• Rückstreuelektronendetektor (BSD) für ordnungszahl- und kristallorientierungssensitive Abbildung
• In-Column Sekundärelektronendetektor mit Energiefilter
• Kristalldefektabbildung mittels ECCI (BSD)
• lokale chemische Analytik für Elemente schwerer als Kohlenstoff mittels EDX (Octane - EDAX)
• lokale Kristallorientierungsanalyse mittels EBSD (Hikari - EDAX)

typische Anwendungen:

• Abbildung des Werkstoffgefüges auf Mikrometerskala
• Identifikation von Einschlüssen und Verunreinigungen
• Lokale chemische Analyse
• Lokale Phasenanalyse
• Kristallorientierungs- und Texturanalyse