Steckbrief
Hersteller: ZEISS
technische Spezifikationen:
Rasterelektronenmikroskop ZEISS Ultra55 |
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Technische Daten: - EDS, WDS, EBSD, STEM
- Auflösung: 0,8 nm
- Beschleunigungsspannung: 300 V bis 30 kV in 10 V-Schritten
- Vergrößerung: 15x bis 1.000.000x
- Strahlstrom: 1 pA bis 20 nA, elektronisches Optibeam, Gemini
- Detektoren:
- Je 2 x Sekundärelektronen-Detektor, Rückstreuelektronendetektor, In-Lens
- SDD-Detektor zur EDS, 10 mm2 aktive Fläche, Energieauflösung < 129 eV, bei Mn-Kα-Strahlung, Nachweis ab Bor (OZ 5)
- WDS-System TEXS, 5 Kristalle, Röntgenkapillarsystem
- EBSD-System OIM XM4, DigiViewIV-CCD-Kamera
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typische Anwendungen: - Analyse von Einschlüssen, Ausscheidungen und Gefügen (Bruchflächen), Phasen und Subphasen, Korngrenzen und Subkorngrenzen hinsichtlich der Strukturmerkmale und der chemischen Zusammensetzung
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Ansprechpartner:
Dr.-Ing. Armin Franke
Leipziger Straße 34 (Ledebur-Bau), Raum 212
+49 3731 39-2413
Armin [dot] Franke [at] iest [dot] tu-freiberg [dot] de (E-Mail)