ZEISS Ultra55

C. Quitzke

Technische Spezifikationen

Hersteller:	ZEISS
Technische Daten:	EDS, WDS, EBSD, STEM Auflösung: 0,8 nm Beschleunigungsspannung: 300 V bis 30 kV in 10 V-Schritten Vergrößerung: 15x bis 1.000.000x Strahlstrom: 1 pA bis 20 nA, elektronisches Optibeam, Gemini Detektoren: Je 2 x Sekundärelektronen-Detektor, Rückstreuelektronendetektor, In-Lens SDD-Detektor zur EDS, 10 mm² aktive Fläche, Energieauflösung < 129 eV, bei Mn-K_α-Strahlung, Nachweis ab Bor (OZ 5) WDS-System TEXS, 5 Kristalle, Röntgenkapillarsystem EBSD-System OIM XM4, DigiViewIV-CCD-Kamera
typische Anwendungen:	Analyse von Einschlüssen, Ausscheidungen und Gefügen (Bruchflächen), Phasen und Subphasen, Korngrenzen und Subkorngrenzen hinsichtlich der Strukturmerkmale und der chemischen Zusammensetzung

Dr.-Ing. Armin Franke
Ledebur-Bau
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