Neue Publikation in IEEE Electron Device Letters: A. Fuchsberger, K. Eysin, L. Wind, E. P. Navarrete, J. Aberl, M. Brehm, I. Ratschinski, D. Hiller, M. Sistani, W. M. Weber, "Modulation-Acceptor-Doped SiGe Schottky Barrier Field-Effect Transistors", IEEE Electron Device Lett., Vol. 46, No. 8, Aug. 2025, 1429-1432, Aug. 2025, DOI: 10.1109/LED.2025.3577243  mit Cover der Ausgabe im August.