Wir bieten mit unserem Microcredential Halbleitertechnologie eine Einführung in die wesentlichen, praktischen Arbeitsschritte der Halbleiterindustrie und eine Weiterbildung für bereits damit Vertraute. Unser Programm umfasst die Vermittlung von theoretischen und praktischen Lerninhalten durch Vorlesungen und das eigene Arbeiten im Zentralen Reinraumlabor der TUBAF.
Die Vorlesungen bieten die für die praktische Anwendung relevantesten Vorlesungsabschnitte unseres Hochschulmodulportfolios zum Thema Halbleiterphysik und Halbleiter-Bauelementtechnologie und sind zugeschnitten auf eine möglichst prägnant und praxisnah geführte Vermittlung der wesentlichsten Grundlagen, die notwendig sind, um die Herstellung und Charakterisierung von Halbleiterbauelementen nachvollziehen zu können.
Im für 2026 aktualisierten Format stellen wir das Microcredential Halbleitertechnologie auf ein hybrides Format um. Die Vorlesungsinhalte werden den registrierten Teilnehmern vorher online-asynchron zur Verfügung gestellt und umfassen ca. 16 Unterrichtseinheiten zzgl. ggf. Selbststudium. Die Präsenzphase kann damit auf zwei volle Tage reduziert werden und umfasst maßgeblich die praktische Arbeit an den entsprechenden Geräten im Reinraum. Hier wird unter Anleitung ein high-k Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensator selbst hergestellt, welcher im Anschluss elektrisch charakterisiert wird. Wir begleiten diese Schritte mit einer Einführung in die Simulation von Halbleiterbauelementen im Betrieb mittels TCAD (Technology computer-aided design) Software. Damit lassen sich umfangreiche Tests und Diagnosen durchführen, die auch der Charakterisierung der hergestellten Strukturen dienlich sind.
Inhalte des Microcredential Halbleitertechnologie:
- Halbleitertechnologie (Reinräume, Metrologie, Si-Wafer, Reinigung, Oxidation, CVD & PVD Beschichtungen, Lithographie, Strukturierung, nass & trocken Ätzen, Dotierung, Metallisierung, Planarisierung)
- Halbleiterbauelemente (MOS Kondensator, MOSFET Integration und Skalierung, p-n-Übergang)
- Reinraumpraktikum (Fertigung und elektrische Charakterisierung von high-k MOS-Kondensatoren)
Eckdaten
- Termin (Präsenzphase Reinraumpraktikum): 26. & 27.08.2026
- Sprache: Vorlesungen Englisch, Reinraumpraktikum Englisch/Deutsch
- Mindest-Teilnehmerzahl: 6
- Kosten: 1200 €
- Kontakt: sekretariat [dot] iap [at] physik [dot] tu-freiberg [dot] de (sekretariat[dot]iap[at]physik[dot]tu-freiberg[dot]de)