- G. Irmer, M. Wenzel, J. Monecke
Interference between hole continuum and LO-phonons as revealed by Raman scattering on p-type GaAs:Zn
Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors.
World Scientific Publishing Co., Singapure, 1996, Vol. 1, p. 217 - B. H. Bairamov, V.A. Voitenko, V. K. Negoduyko, V. V. Toporov, G. Irmer, J. Monecke
Observation of an acoustic plasma oscillations in p-GaAs associated with inter-valence-band photoeffect
Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors.
World Scientific Publishing Co., Singapure, 1996, Vol. 1, p. 269 - G. Irmer, M. Wenzel and J. Monecke
The temperature dependence of the LO(G)- and TO(G)-phonons in GaAs and InP
phys.stat.sol. 195, 85 (1996) - J. Kortus and J. Monecke
Elektronische Struktur unvollständig isovalent d-dotierter Schichten in Halbleitern
Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1488 - W. Cordts, G. Irmer, and J. Monecke
Akustische Eigenschwingungen von Halbleiter-Nanokristalliten im Ramanstreulicht
Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532 - M. Wenzel, G. Irmer, and J. Monecke
Ramanstreuung an gekoppelten LO-Phonon-Löcher-Plasmon-Moden in p-Typ-GaAs
Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532 - J. Monecke and J. Kortus
Electronic Structure of Incompletely Isovalent d-doped Layers in Semiconductors
CMD-EPS '96 Italien, Baveno - G. Irmer, M. Wenzel, J. Monecke
Interference between hole continuum and LO-phonons as revealed by Raman scattering on p-type GaAs:Zn
23rd Intern. Conf. on Phys. of Semiconductors, Berlin, 1996 - B. H. Bairamov, V. A. Voitenko, V. K. Negoduyko, V. V. Toporov, G. Irmer, J. Monecke
Observation of acoustic plasma oscillations in p-GaAs associated with intervalence band photoeffect
23rd Intern. Conf. on Phys. of Semiconductors, Berlin, 1996 - J. Kortus and J. Monecke
Electronic Structure of Incompletely Isovalent d-doped Layers in Semiconductors
8th International Workshop on Computational Condensed Matter Physics: Total
Energy and Force Methods, Trieste, Italy, 1996, p. 75 - D. Schneider, K. Fricke, J. Schulz, G. Irmer, M. Wenzel
Temperature dependence of effective mass in bulk n-GaAs up to T = 400 K by magnetophonon resonance and Raman spectroscopy
Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors.
World Scientific Publishing Co., Singapure, 1996, Vol. 1, p. 221 - K. Fricke, D. Schneider, M. Wenzel, G. Irmer, C. Rigo, H.C. Neitzert
Temperaturabhängigkeit der effektiven Elektronenmassen bis T=400 K aus Magneto-phonon- sowie Shubnikov-de-Haas-Messungen und der LO-Phononenfrequenzen durch Ramanspektroskopie in In0,53Ga0,47As/InP
Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1421 - W. Cordts, G. Irmer, J. Monecke
Akustische Eigenschwingungen von Halbleiter-Nanokristalliten im Ramanstreulicht
Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532 - M. Wenzel, G. Irmer, J. Monecke
Ramanstreuung an gekoppelten LO-Phonon-Löcher-Plasmon-Moden in p-Typ- GaAs
Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532 - L. Nasdala, G. Irmer, D. Wolf
High resolution Raman measurements on zircon grains - a means of detecting micro range heterogeneities
Third European Meeting Spectroscopic Methods in Mineralogy, Kiev 1996, Abstracts, p. 30 - O. Pätzold
Interpretation der versetzungsinduzierten elektrischen Inhomogenitäten in GaAs:Si und GaAs:Te
Arbeitsberatung der DGKK, Erlangen (1996) - J. Kortus, W. Cordts, M. Dietrich, S. Unterricker
Allelektronenrechnungen zu elektrischen Feldgradienten in nichtkubischen Halbleitern
Jahresbericht: Nukleare Festkörperphysik 1996, Universität Konstanz, S. 56