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Symbolbild Reinraumaustattung
Symbolbild Reinraumaustattung

Wir bieten mit unserem µ-Degree eine Einführung in die wesentlichen, praktischen Arbeitsschritte der Halbleiterindustrie und eine Weiterbildung für bereits damit Vertraute. Unser Programm umfasst die Vermittlung von theoretischen und praktischen Lerninhalten durch Vorlesungen und das eigene Arbeiten in unserem Reinraum.

Die Vorlesungen bieten die für die praktische Anwendung relevantesten Vorlesungsabschnitte unseres Hochschulmodulportfolios zum Thema Halbleiterphysik und Halbleiter-Bauelementtechnologie und sind zugeschnitten auf eine möglichst prägnant und praxisnah geführte Vermittlung der wesentlichsten Grundlagen, die notwendig sind, um die Herstellung und Charakterisierung von Halbleiterbauelementen nachvollziehen zu können.

Der zeitliche Umfang der Weiterbildung beträgt eine Woche, wobei ca. die Hälfte zur praktischen Arbeit an den entsprechenden Maschinen und Geräten im Reinraum eingesetzt wird. Hier wird unter Anleitung ein Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensator (MOS-Kondensator) selbst hergestellt, welcher im Anschluss elektrisch charakterisiert wird.

Wir begleiten diese Schritte mit der Simulation komplexer Vorgänge in entsprechenden Halbleiterbauelementen im Betrieb mittels TCAD (Technology computer-aided design) Software. Damit lassen sich umfangreiche Tests und Diagnosen durchführen, die sowohl instruktiver Teil der Ausbildung als auch der Charakterisierung der hergestellten Strukturen dienlich sind.

Ablaufplan µ-Degree Halbleitertechnologie
 MontagDienstagMittwochDonnerstagFreitag
 VorlesungSimulation
9:00

Halbleitertechnologie

Einführung/Reinräume/ Metrologie

Prof. Heitmann / Prof. Hiller

Halbleitertechnologie

Lithographie/Strukturierung/Ätzen – nass & trocken

Prof. Heitmann / Prof. Hiller

Halbleitertechnologie

Dotierung/Metallisierung-Planarisierung

Prof. Heitmann / Prof. Hiller

p-n-junction I

 

Dr. Müller

TCAD

Einführung

Dr. Müller

 Kaffee
10:45

Halbleitertechnologie

Si-Wafer/Reinigung/ Oxidation

Prof. Heitmann / Prof. Hiller

Halbleitertechnologie

Abscheidetechnologien CVD & PVD

Prof. Heitmann / Prof. Hiller

Halbleitertechnologie

MOSFET Integration

Prof. Heitmann / Prof. Hiller

p-n-junction II

 

Dr. Müller

TCAD

Simulation p-n-junction

Dr. Müller

 Mittag
 Reinraumpraktikum
13:15

Fertigung MOS-Kondensator

Einführung, Waferreinigung, Oxidation, Lithographie, Sputtern, Metallisieren, Charakterisieren

Dr. Otto / Dr. Schmid / T. Behm (Prof. Hiller)

Eckdaten

10 Teilnehmer

12.08.2024 - 16.08.2024

Meldung bis 30.06.2024

Kostenfrei

Kontakt

  • daniel [dot] hiller [at] physik [dot] tu-freiberg [dot] de (daniel[dot]hiller[at]physik[dot]tu-freiberg[dot]de)
  • johannes [dot] heitmann [at] physik [dot] tu-freiberg [dot] de (johannes[dot]heitmann[at]physik[dot]tu-freiberg[dot]de)
  • sekretariat [dot] iap [at] physik [dot] tu-freiberg [dot] de (sekretariat[dot]iap[at]physik[dot]tu-freiberg[dot]de)