Wir bieten mit unserem µ-Degree eine Einführung in die wesentlichen, praktischen Arbeitsschritte der Halbleiterindustrie und eine Weiterbildung für bereits damit Vertraute. Unser Programm umfasst die Vermittlung von theoretischen und praktischen Lerninhalten durch Vorlesungen und das eigene Arbeiten in unserem Reinraum.
Die Vorlesungen bieten die für die praktische Anwendung relevantesten Vorlesungsabschnitte unseres Hochschulmodulportfolios zum Thema Halbleiterphysik und Halbleiter-Bauelementtechnologie und sind zugeschnitten auf eine möglichst prägnant und praxisnah geführte Vermittlung der wesentlichsten Grundlagen, die notwendig sind, um die Herstellung und Charakterisierung von Halbleiterbauelementen nachvollziehen zu können.
Der zeitliche Umfang der Weiterbildung beträgt eine Woche, wobei ca. die Hälfte zur praktischen Arbeit an den entsprechenden Maschinen und Geräten im Reinraum eingesetzt wird. Hier wird unter Anleitung ein Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensator (MOS-Kondensator) selbst hergestellt, welcher im Anschluss elektrisch charakterisiert wird.
Wir begleiten diese Schritte mit der Simulation komplexer Vorgänge in entsprechenden Halbleiterbauelementen im Betrieb mittels TCAD (Technology computer-aided design) Software. Damit lassen sich umfangreiche Tests und Diagnosen durchführen, die sowohl instruktiver Teil der Ausbildung als auch der Charakterisierung der hergestellten Strukturen dienlich sind.
Ablaufplan µ-Degree Halbleitertechnologie | |||||
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Montag | Dienstag | Mittwoch | Donnerstag | Freitag | |
Vorlesung | Simulation | ||||
9:00 | Halbleitertechnologie Einführung/Reinräume/ Metrologie Prof. Heitmann / Prof. Hiller | Halbleitertechnologie Lithographie/Strukturierung/Ätzen – nass & trocken Prof. Heitmann / Prof. Hiller | Halbleitertechnologie Dotierung/Metallisierung-Planarisierung Prof. Heitmann / Prof. Hiller | p-n-junction I
Dr. Müller | TCAD Einführung Dr. Müller |
Kaffee | |||||
10:45 | Halbleitertechnologie Si-Wafer/Reinigung/ Oxidation Prof. Heitmann / Prof. Hiller | Halbleitertechnologie Abscheidetechnologien CVD & PVD Prof. Heitmann / Prof. Hiller | Halbleitertechnologie MOSFET Integration Prof. Heitmann / Prof. Hiller | p-n-junction II
Dr. Müller | TCAD Simulation p-n-junction Dr. Müller |
Mittag | |||||
Reinraumpraktikum | |||||
13:15 | Fertigung MOS-Kondensator Einführung, Waferreinigung, Oxidation, Lithographie, Sputtern, Metallisieren, Charakterisieren Dr. Otto / Dr. Schmid / T. Behm (Prof. Hiller) |
Eckdaten
• 10 Teilnehmer
• 12.08.2024 - 16.08.2024
• Meldung bis 30.06.2024
• Kostenfrei
• Kontakt
- daniel [dot] hiller [at] physik [dot] tu-freiberg [dot] de (daniel[dot]hiller[at]physik[dot]tu-freiberg[dot]de)
- johannes [dot] heitmann [at] physik [dot] tu-freiberg [dot] de (johannes[dot]heitmann[at]physik[dot]tu-freiberg[dot]de)
- sekretariat [dot] iap [at] physik [dot] tu-freiberg [dot] de (sekretariat[dot]iap[at]physik[dot]tu-freiberg[dot]de)