Halbleiterbauelemente
- Prozessentwicklung und -integration für neue Materialien
- Abscheidung und Charakterisierung von Dünnschichten
- Herstellung von ohmschen und Schottky-Kontakten auf halbleitenden Materialien (Si, GaN, AlN, SiC ...)
- Herstellung von Metall-Isolator-Halbleiter-Strukturen (MIS)
- Herstellung von Hetero-Feldeffekt-Transistoren (HFETs/MISHFETs) auf Basis von AlGaN/GaN
- Elektrische Defektcharakterisierung für Halbleitermaterialien, dünne dielektrischen Schichten und Halbleiterbauelemente (CV, IV, gepulsten Messungen, DLTS…)
Ansprechpartner: Dr. Alexander Schmid
Spektroskopie
- Materialcharakterisierung mittels optischer Spektroskopie (Photolumineszenz-Spektroskopie (PL), Elektrolumineszenz, …)
- Defektcharakterisierung massiver Halbleiterkristalle, Schichten und Nanostrukturen (z.B. AlN, GaN, SiC, Si, GaAs, InP, …):
Bandlücken-Energie
Homogenität über ortsaufgelöste PL-Maps
Gehalt an Fremd-/Dotierstoffen und Kristallgitter-Defekten
Defektcharakterisierung über temperaturabhängige Veränderungen der Lumineszenz-Intensität
Lebensdauer über zeitaufgelöste Lumineszenz-Transienten und Mikrowellen-Detektierte Photoleitfähigkeitstransienten - Selten-Erd-Spektroskopie:
Homogenität über ortsaufgelöste PL-Maps
PL-Lebensdauer über zeitaufgelöste Lumineszenz-Transienten
Ansprechpartner: Dr. Jan Beyer
Photovoltaik
- Zuverlässigkeitsuntersuchungen:
Metallisierungsdegradation
Si Bulk Degradation und Regeneration - Passivierende Kontakte basierend auf Metalloxiden
- Elektrische und optische Halbleiterbauelementesimulation (1D/2D/3D)
- Energieertragsmodellierung
Ansprechpartner: Dr. Matthias Müller
Quantenmaterialien und Nanoelektronik
- Forschungsfokus: Gruppe-IV Halbleiter und deren Nanomaterialien (hauptsächlich Silicium und Germanium)
- Realisierung und Charakterisierung von Materialien und Nanostrukturen ausgehend von der grundlegenden Erforschung von Nano- und Quanteneffekten
- Neuartige Dotierungsmöglichkeiten durch Oberflächenfunktionalisierung und Ladungstransfereffekte
- Einfluss von Punktdefekten und Materialien zur Oberflächenfunktionalisierung für die hocheffiziente Silicium-Photovoltaik
Ansprechpartner: Prof. Dr. Daniel Hiller
Zur Arbeitsgruppe: IAP AG Quantenmaterialien und Nanoelektronik