ESF Nachwuchsforschergruppe Halbleitermaterialien

Defekt-Engineering in Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien
für Anwendungen in der Opto- und Leistungselektronik

Logo ESFHalMa verfolgt das Ziel, eine Verbesserung der Verfügbarkeit sowie eine erhöhte Funktionalität von GaN und verwandter Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien, wie z. B. Aluminiumnitrid (AlN), zu erreichen. Dabei wird die gesamte Innovationskette von der Entwicklung alternativer Züchtungsmethoden über die Charakterisierung der Materialien bis hin zur Methodenentwicklung für ein schnelles Qualitätsmonitoring von Halbleitermaterialien und -bauelementen in einem industriellen Umfeld abgedeckt.

Am 01.10. 2015 haben die ersten fünf der angedachten sieben Nachwuchswissenschaftler ihre Arbeit aufgenommen und seit 01.02.2016 sind wir komplett. Die Gruppe wird von Franziska Beyer und Christian Röder geleitet.

Dr. Christian Röder, Simon Liebing, Dr. Mykhailo Barchuk, Tom Schneider, Friederike Zimmermann, Valentin Garbe und Dr. Franziska Beyer.

Aktuelles

Am Montag, den 28.08.2017, 10 Uhr GEL0001 wird Herr Kazunobu Kojima einen Vortrag zum "Thema Determination of absolute quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors using an integrating sphere" halten. Interessenten sind herzlich willkommen. … weiterlesen

v.l.n.r.: Dr. Wachowiak (NaMLab Dresden), Herr Schröter (THM Freiberg), Frau Sic
Am 1. Dezember 2015 trafen sich die Mitglieder der ESF-Nachwuchsforschergruppe HalMa der TU Bergakademie Freiberg mit ihren Kooperationspartnern zur Auftaktveranstaltung ihres Projektes zur Erforschung neuer Halbleitermaterialien für Anwendungen in der Opto- und Leistungselektronik. … weiterlesen

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