Clustersystem für Niedertemperaturabscheidungen

Mit dem Großgerät soll die gezielte Modifikation von Grenzflächen zwischen Metall/Halbleiter, Metall/Dielektrikum und Dielektrikum/Halbleiter mit neuen Ansätzen untersucht werden. Dazu gehört der Einsatz neuer Präkursoren, die In-situ-Absättigung von Haftstellen und die Grenzflächenmodifikation durch Fremdatomeinbau sowie die Abscheidung anderweitig nicht zugänglicher photokatalytisch aktiver Halbleiterschichten. Die Anwendung auf "schaltbare" Schichtsysteme mit ähnlichen Materialien wird ein weiterer Forschungsschwerpunkt sein, den diese Anlage erlauben wird.

Steckbrief

GerätenameClustersystem für Niedertemperaturabscheidungen
LeistungsartMolekularstrahler
InstitutAngewandte Physik
FachbereichPhysikalische Geräte
Experte Prof. Dr. Johannes Heitmann