Halbleiterbauelemente
Themen
Abscheidung und Charakterisierung von dielektrischen Dünnschichten
Herstellung und Untersuchung von ohmschen und Schottky-Kontakten auf halbleitenden Materialien (Si, GaN, AlN, ...)
Herstellung von Metall-Isolator-Halbleiter-Strukturen (MIS)
Herstellung von Hetero-Feldeffekt-Transistoren (HFETs/MISHFETs) auf Basis von AlGaN/GaN
Untersuchung der dielektrischen Absorption von high-k Materialien
Möglichkeiten
Herstellung
Herstellung von Bauelementen im "Zentralen Reinraumlabor"
kleine Probenstücke bis 6"- Wafer sind möglich
Erfahrungen mit unterschiedlichen Halbleitern (Si, GaN, GasAs, ...)
Abscheidung von Dielektrika (Al2O3, Si3N4, TiO2, ZrO2, …) mittels chemischer Verfahren (CVD) und Atomlagenabscheidung (ALD)
Abscheidung von Metallen (Ag, Al, Au, Ni, Ti, V, ...) mittels physikalischer Verfahren (PVD)
Strukturierung mittels Lithographie (<3 µm laterale Auflösung)
nasschemische und Trockenätzprozesse (ICP-RIE)
thermische Behandlung unter reduzierender, oxidierender oder Inertgasatmosphäre sowie schnelle thermische Prozesse (RTA)
Möglichkeiten Elektrischer Charakterisierung
Strom-Spannungs-Messungen (dc und gepulst) zur Bestimmung von Leckströmen, Kontakt- und Schichtwiderständen sowie parametrischen Bauelementkennlinien
Relaxationsmessungen zur Bestimmungen der dielektrischen Absorption
Kapazitäts-Messungen zur Bestimmung von Oxidladung, Substratdotierung und Grenzflächenzustandsdichte
temperaturabhängige Messungen sind von Raumtemperatur bis 300°C möglich
kleine Probenstücke bis 12"- Wafer können untersucht werden