Halbleiterbauelemente

Themen

• Abscheidung und Charakterisierung von dielektrischen Dünnschichten

• Herstellung und Untersuchung von ohmschen und Schottky-Kontakten auf halbleitenden Materialien (Si, GaN, AlN, ...)

• Herstellung von Metall-Isolator-Halbleiter-Strukturen (MIS)

• Herstellung von Hetero-Feldeffekt-Transistoren (HFETs/MISHFETs) auf Basis von AlGaN/GaN

• Untersuchung der dielektrischen Absorption von high-k Materialien

Möglichkeiten

Herstellung

• Herstellung von Bauelementen im "Zentralen Reinraumlabor"

• kleine Probenstücke bis 6"- Wafer sind möglich

• Erfahrungen mit unterschiedlichen Halbleitern (Si, GaN, GasAs, ...)

• Abscheidung von Dielektrika (Al₂O₃, Si₃N₄, TiO₂, ZrO₂, …) mittels chemischer Verfahren (CVD) und Atomlagenabscheidung (ALD)

• Abscheidung von Metallen (Ag, Al, Au, Ni, Ti, V, ...) mittels physikalischer Verfahren (PVD)

• Strukturierung mittels Lithographie (<3 µm laterale Auflösung)

• nasschemische und Trockenätzprozesse (ICP-RIE)

• thermische Behandlung unter reduzierender, oxidierender oder Inertgasatmosphäre sowie schnelle thermische Prozesse (RTA)

Möglichkeiten Elektrischer Charakterisierung

• Strom-Spannungs-Messungen (dc und gepulst) zur Bestimmung von Leckströmen, Kontakt- und Schichtwiderständen sowie parametrischen Bauelementkennlinien

• Relaxationsmessungen zur Bestimmungen der dielektrischen Absorption

• Kapazitäts-Messungen zur Bestimmung von Oxidladung, Substratdotierung und Grenzflächenzustandsdichte

• temperaturabhängige Messungen sind von Raumtemperatur bis 300°C möglich

• kleine Probenstücke bis 12"- Wafer können untersucht werden