Halbleiterbauelemente

Themen

  • Abscheidung und Charakterisierung von dielektrischen Dünnschichten

  • Herstellung und Untersuchung von ohmschen und Schottky-Kontakten auf halbleitenden Materialien (Si, GaN, AlN, ...)

  • Herstellung von Metall-Isolator-Halbleiter-Strukturen (MIS)

  • Herstellung von Hetero-Feldeffekt-Transistoren (HFETs/MISHFETs) auf Basis von AlGaN/GaN

  • Untersuchung der dielektrischen Absorption von high-k Materialien

 

Möglichkeiten

Herstellung

  • Herstellung von Bauelementen im "Zentralen Reinraumlabor"

  • kleine Probenstücke bis 6"- Wafer sind möglich

  • Erfahrungen mit unterschiedlichen Halbleitern (Si, GaN, GasAs, ...)

  • Abscheidung von Dielektrika (Al2O3, Si3N4, TiO2, ZrO2, …) mittels chemischer Verfahren (CVD) und Atomlagenabscheidung (ALD)

  • Abscheidung von Metallen (Ag, Al, Au, Ni, Ti, V, ...) mittels physikalischer Verfahren (PVD)

  • Strukturierung mittels Lithographie (<3 µm laterale Auflösung)

  • nasschemische und Trockenätzprozesse (ICP-RIE)

  • thermische Behandlung unter reduzierender, oxidierender oder Inertgasatmosphäre sowie schnelle thermische Prozesse (RTA)

Möglichkeiten Elektrischer Charakterisierung

  • Strom-Spannungs-Messungen (dc und gepulst) zur Bestimmung von Leckströmen, Kontakt- und Schichtwiderständen sowie parametrischen Bauelementkennlinien

  • Relaxationsmessungen zur Bestimmungen der dielektrischen Absorption

  • Kapazitäts-Messungen zur Bestimmung von Oxidladung, Substratdotierung und Grenzflächenzustandsdichte

  • temperaturabhängige Messungen sind von Raumtemperatur bis 300°C möglich

  • kleine Probenstücke bis 12"- Wafer können untersucht werden

Falschfarbenhöhenbild HFET
Schema MISHFET