Auftaktveranstaltung des Schwerpunktprogramms „GaNius“

Im Rahmen des Schwerpunktprogramms „GaNius“ fördert die DFG Projekte zur energieeffizienten Leistungselektronik

Das Institut für Angewandte Physik beteiligt sich am SPP 2312 mit dem Forschungsvorhaben ScNius („Elektronischer Transport polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronengase mit extrem hoher Flächendichte für ScAlN/GaN-basierte Leistungstransistoren“). Am 8.10. fand dazu online die Auftaktveranstaltung statt, an der sich führende Wissenschaftler aus dem Bereich Nitrid-Leistungselektronik zu den 11 geplanten Vorhaben austauschten. Dabei deckt das Schwerpunktprogramm das Thema von der Materialentwicklung bis zum System ab, was eine Vernetzung über die ganze Breite der Entwicklung sicherstellt.

In den kommenden drei Jahren sollen am IAP die elektronischen Eigenschaften ScAlN-basierter Heterostrukturen erforscht werden. Durch die große spontane Polarisation und das gitterangepasste Wachstum von ScAlN-Dünnschichten ist das Material ein vielversprechender Kandidat für energieeffiziente leistungselektronische Bauelemente wie Spannungs- und Stromwandler. Projektpartner ist das Institut für nachhaltige Technische Systeme (INATECH) der Albert-Ludwigs-Universität Freiburg unter Leitung von Prof. Dr. Ambacher.

Link zur DFG-Ausschreibung: www.dfg.de/foerderung/info_wissenschaft/2020/info_wissenschaft_20_47/index.html

Schematische Darstellung des Querschnittes HFET AFM-Aufnahme HFET als Falschfarbenhöhenbild
Abb1. oben) die Schematische Darstellung des Hetero-Feldeffekttransistor im Querschnitt, sowie unten) die AFM-Aufnahme als Falschfarbenhöhenbild.

Logo INATECH Logo Universität Freiburg Logo IAP TU BAF
Abb2. oben) Logo INATECH (Universität Freiburg), sowie unten) Logo IAP (TU Bergakdemie Freiberg).

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Dr.-Ing. Alexander Schmid