Halbleiterwerkstoffe

Leitung

Dr. rer. nat. Olf Pätzold

Dr. rer. nat. Olf Pätzold


Stellvertretender Institutsdirektor, Halbleiterwerkstoffe (Arbeitsgruppenleiter)

Ledebur-Bau, Zimmer E 23

Telefon +49 3731 39-2767
olf [dot] paetzoldatinemet [dot] tu-freiberg [dot] de



Arbeitsgebiete

  • Halbleiterkristallzüchtung aus der Schmelze und Gasphase
  • Züchtung von Element- und Verbindungshalbleitern, z. B. (Al)GaN, GaAs, Ge, Si
  • Strömungs- und Erstarrungsexperimente mit Modellschmelzen
  • Präparation und Charakterisierung von Halbleitermaterialien

Technische Ausrüstung

  • Ofenanlagen für die VGF-Kristallzüchtung von Ge- und GaAs-Einkristallen mit Magnetfeldern
  • Induktionsschmelzanlage für die Si-Kristallzüchtung
  • Ofenanlage für die Gasphasenabscheidung von GaN-Kristallen
  • SessileDrop-Anlage für die Bestimmung des Kontaktwinkels und der Oberflächenspannung von Halbleiterschmelzen
  • Reinräume mit Einrichtungen und Anlagen für die Reinigung und Präparation von Materialien und Komponenten sowie für die metallografische Charakterisierung von Halbleiterkristallen
  • Optische Mikroskope für die Charakterisierung von Halbleiterproben, u.a. mittel korrelativer und konfokaler Mikroskopie 
  • Plasma-Sekundär-Neutralteilchen-Massenspektrometer für chemische Charakterisierung von Halbleiterproben
  • Hochauflösendes Rasterelektronenmikroskop mit EDX und WDX
3
<< >>
  • VGF-Ofen mit wanderndem Magnetfeld © INEMET
  • GaN-Anlage © INEMET
  • Induktions - Schmelzanlage © INEMET
  • Modellexperiment © INEMET
  • Sessile Drop - Anlage © INEMET
  • Plasma-Sekundär-Neutralteilchen-Massenspektrometer © INEMET