Publikationen 1996

  • G. Irmer, M. Wenzel, J. Monecke
    Interference between hole continuum and LO-phonons as revealed by Raman scattering on p-type GaAs:Zn
    Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors.
    World Scientific Publishing Co., Singapure, 1996, Vol. 1, p. 217
  • B. H. Bairamov, V.A. Voitenko, V. K. Negoduyko, V. V. Toporov, G. Irmer, J. Monecke
    Observation of an acoustic plasma oscillations in p-GaAs associated with inter-valence-band photoeffect
    Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors.
    World Scientific Publishing Co., Singapure, 1996, Vol. 1, p. 269
  • G. Irmer, M. Wenzel and J. Monecke
    The temperature dependence of the LO(G)- and TO(G)-phonons in GaAs and InP
    phys.stat.sol. 195, 85 (1996)
  • J. Kortus and J. Monecke
    Elektronische Struktur unvollständig isovalent d-dotierter Schichten in Halbleitern
    Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
    Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1488
  • W. Cordts, G. Irmer, and J. Monecke
    Akustische Eigenschwingungen von Halbleiter-Nanokristalliten im Ramanstreulicht
    Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
    Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532
  • M. Wenzel, G. Irmer, and J. Monecke
    Ramanstreuung an gekoppelten LO-Phonon-Löcher-Plasmon-Moden in p-Typ-GaAs
    Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
    Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532
  • J. Monecke and J. Kortus
    Electronic Structure of Incompletely Isovalent d-doped Layers in Semiconductors
    CMD-EPS '96 Italien, Baveno
  • G. Irmer, M. Wenzel, J. Monecke
    Interference between hole continuum and LO-phonons as revealed by Raman scattering on p-type GaAs:Zn
    23rd Intern. Conf. on Phys. of Semiconductors, Berlin, 1996
  • B. H. Bairamov, V. A. Voitenko, V. K. Negoduyko, V. V. Toporov, G. Irmer, J. Monecke
    Observation of acoustic plasma oscillations in p-GaAs associated with intervalence band photoeffect
    23rd Intern. Conf. on Phys. of Semiconductors, Berlin, 1996
  • J. Kortus and J. Monecke
    Electronic Structure of Incompletely Isovalent d-doped Layers in Semiconductors
    8th International Workshop on Computational Condensed Matter Physics: Total
    Energy and Force Methods, Trieste, Italy, 1996, p. 75
  • D. Schneider, K. Fricke, J. Schulz, G. Irmer, M. Wenzel
    Temperature dependence of effective mass in bulk n-GaAs up to T = 400 K by magnetophonon resonance and Raman spectroscopy
    Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors.
    World Scientific Publishing Co., Singapure, 1996, Vol. 1, p. 221
  • K. Fricke, D. Schneider, M. Wenzel, G. Irmer, C. Rigo, H.C. Neitzert
    Temperaturabhängigkeit der effektiven Elektronenmassen bis T=400 K aus Magneto-phonon- sowie Shubnikov-de-Haas-Messungen und der LO-Phononenfrequenzen durch Ramanspektroskopie in In0,53Ga0,47As/InP
    Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
    Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1421
  • W. Cordts, G. Irmer, J. Monecke
    Akustische Eigenschwingungen von Halbleiter-Nanokristalliten im Ramanstreulicht
    Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
    Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532
  • M. Wenzel, G. Irmer, J. Monecke
    Ramanstreuung an gekoppelten LO-Phonon-Löcher-Plasmon-Moden in p-Typ- GaAs
    Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996.
    Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532
  • L. Nasdala, G. Irmer, D. Wolf
    High resolution Raman measurements on zircon grains - a means of detecting micro range heterogeneities
    Third European Meeting Spectroscopic Methods in Mineralogy, Kiev 1996, Abstracts, p. 30
  • O. Pätzold
    Interpretation der versetzungsinduzierten elektrischen Inhomogenitäten in GaAs:Si und GaAs:Te
    Arbeitsberatung der DGKK, Erlangen (1996)
  • J. Kortus, W. Cordts, M. Dietrich, S. Unterricker
    Allelektronenrechnungen zu elektrischen Feldgradienten in nichtkubischen Halbleitern
    Jahresbericht: Nukleare Festkörperphysik 1996, Universität Konstanz, S. 56