G. Irmer, M. Wenzel, J. Monecke Interference between hole continuum and LO-phonons as revealed by Raman scattering on p-type GaAs:Zn Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors. World Scientific Publishing Co., Singapure, 1996, Vol. 1, p. 217
B. H. Bairamov, V.A. Voitenko, V. K. Negoduyko, V. V. Toporov, G. Irmer, J. Monecke Observation of an acoustic plasma oscillations in p-GaAs associated with inter-valence-band photoeffect Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors. World Scientific Publishing Co., Singapure, 1996, Vol. 1, p. 269
G. Irmer, M. Wenzel and J. Monecke The temperature dependence of the LO(G)- and TO(G)-phonons in GaAs and InP phys.stat.sol. 195, 85 (1996)
J. Kortus and J. Monecke Elektronische Struktur unvollständig isovalent d-dotierter Schichten in Halbleitern Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996. Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1488
W. Cordts, G. Irmer, and J. Monecke Akustische Eigenschwingungen von Halbleiter-Nanokristalliten im Ramanstreulicht Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996. Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532
M. Wenzel, G. Irmer, and J. Monecke Ramanstreuung an gekoppelten LO-Phonon-Löcher-Plasmon-Moden in p-Typ-GaAs Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996. Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532
J. Monecke and J. Kortus Electronic Structure of Incompletely Isovalent d-doped Layers in Semiconductors CMD-EPS '96 Italien, Baveno
G. Irmer, M. Wenzel, J. Monecke Interference between hole continuum and LO-phonons as revealed by Raman scattering on p-type GaAs:Zn 23rd Intern. Conf. on Phys. of Semiconductors, Berlin, 1996
B. H. Bairamov, V. A. Voitenko, V. K. Negoduyko, V. V. Toporov, G. Irmer, J. Monecke Observation of acoustic plasma oscillations in p-GaAs associated with intervalence band photoeffect 23rd Intern. Conf. on Phys. of Semiconductors, Berlin, 1996
J. Kortus and J. Monecke Electronic Structure of Incompletely Isovalent d-doped Layers in Semiconductors 8th International Workshop on Computational Condensed Matter Physics: Total Energy and Force Methods, Trieste, Italy, 1996, p. 75
D. Schneider, K. Fricke, J. Schulz, G. Irmer, M. Wenzel Temperature dependence of effective mass in bulk n-GaAs up to T = 400 K by magnetophonon resonance and Raman spectroscopy Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors. World Scientific Publishing Co., Singapure, 1996, Vol. 1, p. 221
K. Fricke, D. Schneider, M. Wenzel, G. Irmer, C. Rigo, H.C. Neitzert Temperaturabhängigkeit der effektiven Elektronenmassen bis T=400 K aus Magneto-phonon- sowie Shubnikov-de-Haas-Messungen und der LO-Phononenfrequenzen durch Ramanspektroskopie in In0,53Ga0,47As/InP Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996. Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1421
W. Cordts, G. Irmer, J. Monecke Akustische Eigenschwingungen von Halbleiter-Nanokristalliten im Ramanstreulicht Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996. Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532
M. Wenzel, G. Irmer, J. Monecke Ramanstreuung an gekoppelten LO-Phonon-Löcher-Plasmon-Moden in p-Typ- GaAs Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg, 1996. Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6/96, S. 1532
L. Nasdala, G. Irmer, D. Wolf High resolution Raman measurements on zircon grains - a means of detecting micro range heterogeneities Third European Meeting Spectroscopic Methods in Mineralogy, Kiev 1996, Abstracts, p. 30
O. Pätzold Interpretation der versetzungsinduzierten elektrischen Inhomogenitäten in GaAs:Si und GaAs:Te Arbeitsberatung der DGKK, Erlangen (1996)
J. Kortus, W. Cordts, M. Dietrich, S. Unterricker Allelektronenrechnungen zu elektrischen Feldgradienten in nichtkubischen Halbleitern Jahresbericht: Nukleare Festkörperphysik 1996, Universität Konstanz, S. 56
