Optische und thermische Defektspektroskopie

DLTS.Die optische und thermische Defektspektroskopie wird zur Charakterisierung von Halbleitern, Grenzflächen und Dielektrika (Kapazitäts-Transienten-Spektroskopie) eingesetzt. Dabei unterscheidet man verschiedene Verfahren:

DLTS (deep level transient spectroscopy)

  • Digitales Fourier-DLTS System (1MHz), konventionelles analoges System (5 MHz)
  • Emissionsraten von 105 bis 0.01 Hz, Pulsdauer von 10 ns bis 1s, DDLTS (double correlation), D3LTS (resolution enhanced), CCDLTS (constant capacitance), ODLTS (optical excitation)

AS (admittance spectroscopy)

  • Frequenzbereich: 75 Hz bis 30 MHz
  • Temperaturbereich: 10 K bis 750 K

TSCap (thermically stimulated Capacitance)

  • Temperaturbereich: 10 K bis 650 K
  • Auflösung: 1 fF

Temperaturabhängige Kapazitäts- und Strom-Spannungs-Kennlinien

  • Frequenzbereich: 75 Hz bis 30 MHz
  • Temperaturbereich: 10 K bis 750 K
  • Messbereiche: 10 fF bis 1000 nF, 0,1 pA bis 1 A

Kryostate

  • LN2 Flusskryostat (79 K...750 K)
  • "closed cycle" Kryostat (10 K bis 300 K)
  • Probengröße bis zu (15x15) mm2
  • Lichtfaserankopplung und Monochromator (300 nm…3 µm)
  • Integrierte LED/LD zur optischen Anregung
  • Temperaturgenauigkeit: dynamisch 100 mK, absolut 50 mK
  • Regelgenauigkeit: kleiner 10mK