Sessile Drop-Anlage

 

Die Anlage besteht aus einem Hochtemperaturofen mit drei separat regelbaren Heizzonen, einem Vakuum- und Inertgassystem sowie einem digitalem Kamerasystem mit computergesteuerter Bildaufnahme und -verarbeitung. Sie wird für die Bestimmung der Oberflächenspannung und des Kontaktwinkelsvon Halbleiterschmelzen nach der sessile drop-Methode benutzt. Der Ofen ermöglicht die Einstellung eines Temperaturplateaus bei Temperaturen bis ca. 1600°C. Es können Versuche im Hochvakuum (Minimaldruck ca. 10-5mbar) oder mit einem bestimmten Inertgasdruck durchgeführt werden. Optional kann anstelle des Vakuumsystems eine separate Dampfdruckquelle (Maximaltemperatur ca. 650°C) angeflanscht werden, so dass auch Untersuchungen unter definiertem Partialdruck einer verdampflichen Substanz möglich sind.

 

 

 



 

zum Seitenanfang